• bbb

Күчтүү электроникалык жабдууларда ГТО конденсатору

Кыска сүрөттөмө:

Снюббер схемалары коммутация схемаларында колдонулган диоддор үчүн абдан маанилүү.Ал диодду кайра калыбына келтирүү процессинде пайда болушу мүмкүн болгон ашыкча чыңалуудан сактай алат.


Продукт чоо-жайы

Продукт тегдери

Техникалык маалыматтар

Иштөө температурасы диапазону Max.Иштөө температурасы.,Жогорку,макс: + 85℃Жогорку категория температурасы: +85℃Төмөнкү категория температурасы: -40℃
сыйымдуулук диапазону

0,22~3μF

Номиналдык чыңалуу

3000V.DC~10000V.DC

Cap.tol

±5%(J) ;±10%(K)

Чыңалууга туруштук берүү

1.35Un DC/10S

Диссипация фактору

tgδ≤0,001 f=1KHz

Изоляцияга каршылык

C≤0,33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S боюнча)

C>0,33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S боюнча)

Катуу токко туруштук берүү

маалымат жадыбалын караңыз

Жашоонун узактыгы

100000саат(Un; Θhospot≤70°C)

Шилтеме стандарты

IEC 61071;

Өзгөчөлүк

1. Mylar скотч, чайыр менен жабылган;

2. Жез гайка сымдары;

3. жогорку чыңалуу, төмөн tgδ, төмөнкү температуранын көтөрүлүшүнө каршылык;

4. төмөн ESL жана ESR;

5. Жогорку импульстук ток.

Колдонмо

1. ГТО снуббери.

2. Кеңири электр электрондук жабдуулардын чокусу чыңалуу, чокусу учурдагы жутуу коргоо учурунда колдонулат.

Типтүү схема

1

Контур чийме

2

Спецификация

Un=3000V.DC

Сыйымдуулук (μF)

φD (мм)

L(мм)

L1(мм)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Ирмс(А)

0.22

35

44

52

25

1100

242

30

0.33

43

44

52

25

1000

330

35

0,47

51

44

52

22

850

399

45

0,68

61

44

52

22

800

544

55

1

74

44

52

20

700

700

65

1.2

80

44

52

20

650

780

75

1.5

52

70

84

30

600

900

45

2.0

60

70

84

30

500

1000

55

3.0

73

70

84

30

400

1200

65

4.0

83

70

84

30

350

1400

70

Un=6000V.DC

Сыйымдуулук (μF)

φD (мм)

L(мм)

L1(мм)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Ирмс(А)

0.22

43

60

72

25

1500

330

35

0.33

52

60

72

25

1200

396

45

0,47

62

60

72

25

1000

470

50

0,68

74

60

72

22

900

612

60

1

90

60

72

22

800

900

75

 

Un=7000V.DC

Сыйымдуулук (μF)

φD (мм)

L(мм)

L1(мм)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Ирмс(А)

0.22

45

57

72

25

1100

242

30

0,68

36

80

92

28

1000

680

25

1.0

43

80

92

28

850

850

30

1.5

52

80

92

25

800

1200

35

1.8

57

80

92

25

700

1260

40

2.0

60

80

92

23

650

1300

45

3.0

73

80

92

22

500

1500

50

 

Un=8000V.DC

Сыйымдуулук (μF)

φD (мм)

L(мм)

L1(мм)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Ирмс(А)

0.33

35

90

102

30

1100

363

25

0,47

41

90

102

28

1000

470

30

0,68

49

90

102

28

850

578

35

1

60

90

102

25

800

800

40

1.5

72

90

102

25

700

1050

45

2.0

83

90

102

25

650

1300

50

 

Un=10000V.DC

Сыйымдуулук (μF)

φD (мм)

L(мм)

L1(мм)

ESL(nH)

dv/dt(V/μS)

Ipk(A)

Ирмс(А)

0.33

45

114

123

35

1500

495

30

0,47

54

114

123

35

1300

611

35

0,68

65

114

123

35

1200

816

40

1

78

114

123

30

1000

1000

55

1.5

95

114

123

30

800

1200

70


  • Мурунку:
  • Кийинки:

  • Бизге билдирүүңүздү жөнөтүңүз:

    Бул жерге билдирүүңүздү жазып, бизге жөнөтүңүз

    Бизге билдирүүңүздү жөнөтүңүз: