Электрдик жабдуулардагы GTO снуббер конденсатору

Кыскача сүрөттөмө:

Снуббер схемалары коммутациялык схемаларда колдонулган диоддор үчүн абдан маанилүү. Ал диодду тескери калыбына келтирүү процессинде пайда болушу мүмкүн болгон ашыкча чыңалуу кескин көтөрүлүшүнөн сактай алат.

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз PDF форматында жүктөп алуу

Продукциянын чоо-жайы

Продукциянын тегдери

Техникалык маалыматтар

Иштөө температурасынын диапазону	Максималдуу иштөө температурасы., Үстүнкү, макс: + 85℃ Жогорку категориядагы температура: +85℃ Төмөнкү категориядагы температура: -40℃
сыйымдуулук диапазону	0,22～3μF
Номиналдык чыңалуу	3000V туруктуу ток～10000V туруктуу ток
Капитал	±5%(Дж) ; ±10%(К)
Чыңалууга туруштук бериңиз	1.35Un DC/10S
Таркалуу коэффициенти	tgδ≤0.001 f=1КГц
Жылуулоо каршылыгы	C≤0.33μF RS≥15000 MΩ (20℃ 100V.DC 60S температурада) C> 0.33μF RS*C≥5000S (20℃ 100V.DC 60S температурада)
Сокку агымына туруштук берүү	маалымат баракчасын караңыз
Жашоонун узактыгы	100000саат(Un; Θhospot≤70°C)
Шилтеме стандарты	IEC 61071;

Өзгөчөлүк

1. Майлар скотч, чайыр менен мөөр басылган;

2. Жез гайкалардын учтары;

3. Жогорку чыңалууга, төмөнкү tgδ, төмөн температуранын көтөрүлүшүнө туруктуулук;

4. ESL жана ESRдин төмөндүгү;

5. Жогорку импульстук ток.

Колдонмо

1. GTO Снуббери.

2. Электрдик электрондук жабдууларда эң жогорку чыңалууда, эң жогорку токту сиңирүүдөн коргоодо кеңири колдонулат.

Типтүү схема

Контур чиймеси

Техникалык мүнөздөмө

Un=3000V.DC
Сыйымдуулук (μF)	φD (мм)	Л (мм)	L1(мм)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0,22	35	44	52	25	1100	242	30
0,33	43	44	52	25	1000	330	35
0,47	51	44	52	22	850	399	45
0,68	61	44	52	22	800	544	55
1	74	44	52	20	700	700	65
1.2	80	44	52	20	650	780	75
1.5	52	70	84	30	600	900	45
2.0	60	70	84	30	500	1000	55
3.0	73	70	84	30	400	1200	65
4.0	83	70	84	30	350	1400	70
Un=6000V.DC
Сыйымдуулук (μF)	φD (мм)	Л (мм)	L1(мм)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0,22	43	60	72	25	1500	330	35
0,33	52	60	72	25	1200	396	45
0,47	62	60	72	25	1000	470	50
0,68	74	60	72	22	900	612	60
1	90	60	72	22	800	900	75

Un=7000V.DC
Сыйымдуулук (μF)	φD (мм)	Л (мм)	L1(мм)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0,22	45	57	72	25	1100	242	30
0,68	36	80	92	28	1000	680	25
1.0	43	80	92	28	850	850	30
1.5	52	80	92	25	800	1200	35
1.8	57	80	92	25	700	1260	40
2.0	60	80	92	23	650	1300	45
3.0	73	80	92	22	500	1500	50

Un=8000V.DC
Сыйымдуулук (μF)	φD (мм)	Л (мм)	L1(мм)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0,33	35	90	102	30	1100	363	25
0,47	41	90	102	28	1000	470	30
0,68	49	90	102	28	850	578	35
1	60	90	102	25	800	800	40
1.5	72	90	102	25	700	1050	45
2.0	83	90	102	25	650	1300	50

Un=10000V.DC
Сыйымдуулук (μF)	φD (мм)	Л (мм)	L1(мм)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс(А)
0,33	45	114	123	35	1500	495	30
0,47	54	114	123	35	1300	611	35
0,68	65	114	123	35	1200	816	40
1	78	114	123	30	1000	1000	55
1.5	95	114	123	30	800	1200	70