Igbt үчүн Snubber конденсаторун заводдо чыгаруучу - IGBT колдонуу үчүн полипропилен пленкасынын аз жоготуулуу диэлектриги – CRE

Кыскача сүрөттөмө:

Бизге электрондук кат жөнөтүңүз PDF форматында жүктөп алуу

Продукциянын чоо-жайы

Продукциянын тегдери

Окшош видео

Пикир (2)

Инновация, мыктылык жана ишенимдүүлүк биздин компаниянын негизги баалуулуктары болуп саналат. Бул принциптер бүгүнкү күндө эл аралык деңгээлде активдүү орто бизнес катары биздин ийгилигибиздин негизин мурдагыдан да көбүрөөк түзөт.Автоунаа колдонмолору үчүн Dc-Link конденсатору , Кубаттуулук өзгөрткүчтөрүндөгү Dc-Link конденсаторлору , Жогорку чыңалуудагы полипропилен пленка конденсаторуБиз сапатты жана кардарлардын канааттануусун артыкчылыктуу деп эсептейбиз жана бул үчүн биз сапатты көзөмөлдөөнүн катуу чараларын колдонобуз. Биздин ички сыноо жайларыбыз бар, анда биздин продукциялар ар кандай иштетүү этаптарында ар бир аспект боюнча текшерилет. Эң акыркы технологияларды колдонуу менен, биз кардарларыбызга жекелештирилген өндүрүш жабдууларын сунуштайбыз.

Igbt үчүн Snubber конденсаторун заводдо чыгаруучу - IGBT колдонуу үчүн полипропилен пленкасынын аз жоготуулуу диэлектриги – CRE. Чоо-жайы:

SMJ-P сериясы

Номиналдык чыңалуу диапазону: 1000 VDCден 2000 VDCге чейин
Сыйымдуулук диапазону: 0.1 μFден 3.0 μFге чейин
Орнотуу кадамы: 22,5 ммден 48 ммге чейин
Курулуш: Металлдаштырылган полипропилен диэлектрик ички удаалаш туташтыруу
Колдонулушу: IGBT коргоосу, резонанстык резервуар схемалары

Өзүн-өзү калыбына келтирүүчү, кургак типтеги, снуббер конденсатор элементтери атайын профилделген, толкун менен кесилген металлдаштырылган PP пленкасын колдонуу менен өндүрүлөт, бул өзүн-өзү төмөн индуктивдүүлүктү, жогорку үзүлүүгө туруктуулукту жана жогорку ишенимдүүлүктү камсыз кылат. Ашыкча басымдан ажыратуу зарыл деп эсептелбейт. Конденсатордун үстүнкү бөлүгү өзүн-өзү өчүрүүчү экологиялык жактан таза эпоксид менен жабылган. Атайын дизайн өзүн-өзү өтө төмөн индуктивдүүлүктү камсыз кылат.

IMG_0397.HEIC

Техникалык мүнөздөмөлөр таблицасы

Чыңалуу	Un 700V.DC,Urms400V;Us1050V
	Өлчөмү (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR @100 кГц (мΩ)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt (V/μS)	Ипк(А)	Ирмс @40℃ @100 кГц (А)
0,47	42.5	24.5	27.5	12	25	500	235	8
0,68	42.5	24.5	27.5	10	25	480	326.4	10
1	42.5	24.5	27.5	8	24	450	450	12
1.5	42.5	33.5	35.5	7	25	430	645	5
2	42.5	33	35.5	6	24	420	840	15
2.5	42.5	33	45	6	23	400	1000	18
3	42.5	33	45	5.5	22	380	1140	20
3	57.5	30	45	5	26	350	1050	22
3.5	42.5	33	45	5	23	350	1225	25
3.5	57.5	30	45	6	25	300	1050	22
4.7	57.5	35	50	5	28	280	1316-жыл	25
5.6	57.5	38	54	4	30	250	1400	25
6	57.5	38	54	3.5	33	230	1380-жыл	28
6.8	57.5	42.5	56	3.2	32	220	1496-жыл	32
8	57.5	42.5	56	2.8	30	200	1600	33

Чыңалуу	Ун 1000V.DC,Urms500V;Us1500V
	Өлчөмү (мм)
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (мΩ)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	25	1000	470	10
0,68	42.5	24.5	27.5	8	25	800	544	12
1	42.5	33.5	35.5	6	24	800	800	15
1.5	42.5	33	45	6	24	700	1050	15
2	42.5	33	45	5	22	700	1400	20
2.5	57.5	30	45	5	30	600	1500	22
3	57.5	35	50	4	30	600	1800-жыл	25
3.3	57.5	35	50	3.5	28	550	1815-жыл	25
3.5	57.5	38	54	3.5	28	500	1750-жыл	25
4	57.5	38	54	3.2	26	500	2000-жыл	28
4.7	57.5	42.5	56	3	25	420	1974-жыл	30
5.6	57.5	42.5	56	2.8	24	400	2240	32

Чыңалуу	Ун 1200V.DC,Urms550Vac;Us1800V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (мΩ)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,47	42.5	24.5	27.5	11	24	1200	564	10
0,68	42.5	33.5	35.5	7	23	1100	748	12
1	42.5	33.5	35.5	6	22	800	800	14
1.5	42.5	33	45	5	20	800	1200	15
2	57.5	30	45	4	30	750	1500	20
2.5	57.5	35	50	4	28	700	1750-жыл	25
3	57.5	35	50	4	27	600	1800-жыл	25
3.3	57.5	38	54	4	27	550	1815-жыл	28
3.5	57.5	38	54	3.5	25	500	1750-жыл	28
4	57.5	42.5	56	3.5	25	450	1800-жыл	30
4.7	57.5	42.5	56	3.2	23	420	1974-жыл	32

Чыңалуу	Ун 1700V.DC,Urms575Vac;Us2250V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (мΩ)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,33	42.5	24.5	27.5	12	25	1300	429	9
0,47	42.5	24.5	27.5	10	24	1300	611	10
0,68	42.5	33.5	35.5	8	23	1300	884	12
1	42.5	33	45	7	22	1200	1200	15
1.5	42.5	33	45	6	22	1200	1800-жыл	18
1.5	57.5	30	45	5	31	1200	1800-жыл	20
2	57.5	30	45	5	30	1100	2200	22
2.5	57.5	35	50	4	28	1100	2750	25
3	57.5	38	54	4	27	700	2100	25
3.3	57.5	38	54	3.8	26	600	1980-жыл	28
3.5	57.5	42.5	56	3.5	25	500	1750-жыл	30
4	57.5	42.5	56	3.2	25	450	1800-жыл	32

Чыңалуу	Ун 2000V.DC,Urms700Vac;Us3000V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (мΩ)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0,22	42.5	24.5	27.5	15	25	1500	330	10
0,33	42.5	33.5	35.5	12	24	1500	495	12
0,47	42.5	33.5	35.5	11	23	1400	658	15
0,68	42.5	33	45	8	22	1200	816	18
0,68	57.5	30	45	7	30	1100	748	20
0,82	42.5	33	45	7	28	1200	984	22
1	57.5	30	45	6	28	1100	1100	25
1.5	57.5	35	50	5	25	1000	1500	28
2	57.5	38	54	5	24	800	1600	28
2.2	57.5	42.5	56	4	23	700	1540-жыл	32

Чыңалуу	Ун 3000V.DC,Urms750V;Us4500V
Cn(μF)	L(±1)	Т(±1)	H(±1)	ESR (мΩ)	Англисче (англисче) (nH)	dv/dt(V/μS)	Ипк(А)	Ирмс
0.15	42.5	33	45	18	28	2500	375	25
0,22	42.5	33	45	15	27	2200	484	28
0,22	57.5	35	50	15	25	2000-жыл	330	20
0,33	57.5	35	50	12	24	1800-жыл	495	20
0,47	57.5	38	54	11	23	1600	752	22
0,68	57.5	42.5	56	8	22	1500	1020	28

Продукциянын чоо-жайынын сүрөттөрү:

Байланыштуу продукт боюнча колдонмо:

Биз "кардарларга ыңгайлуу, сапатка багытталган, интеграциялык, инновациялык" максаттарды коёбуз. "Чындык жана чынчылдык" - бул IGBT үчүн Snubber конденсаторун заводдо жасоо үчүн идеалдуу башкаруу - IGBT колдонуу үчүн полипропилен пленкасынын аз жоготуулуу диэлектриги - CRE. Бул продукт дүйнө жүзү боюнча, мисалы: Гана, Гаити, Бразилия сыяктуу өлкөлөргө жеткирилет. Биздин продукциялар колдонуучулар тарабынан кеңири таанылган жана ишенимге ээ жана тынымсыз өзгөрүп турган экономикалык жана социалдык муктаждыктарды канааттандыра алат. Келечектеги бизнес мамилелери жана өз ара ийгилик үчүн биз менен байланышуу үчүн ар кандай тармактардагы жаңы жана эски кардарларды кубануу менен тосуп алабыз!

Ac пленка конденсаторунун банкы